| Allgemein |
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| Gerätetyp |
Solid-State-Disk - intern |
| Kapazität |
4 TB |
| Hardwareverschlüsselung |
Ja |
| Encryption Algorithm |
256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp |
3D triple-level cell (TLC) |
| Formfaktor |
6.4 cm (2.5") |
| Schnittstelle |
PCI Express 3.1 x4 (NVMe) |
| Merkmale |
Temperature Monitoring and Logging, Enhanced Power Loss Data Protection, End-to-End-Datenschutz |
| Höhe |
15 mm |
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| Leistung |
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| Interner Datendurchsatz |
3270 MBps (lesen)/ 1860 MBps (Schreiben) |
| 4 KB Random Read |
687000 IOPS |
| 4 KB Random Write |
62000 IOPS |
| Mittlere Wartezeit |
29 µs |
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| Zuverlässigkeit |
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| MTBF |
2000000 Stunden |
| Nicht-korrigierbare Datenfehler |
1 pro 10^17 |
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| Erweiterung und Konnektivität |
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| Schnittstellen |
1 x PCI Express 3.1 x4 (NVMe) |
| Kompatibles Schaltfeld |
6.4 cm (2.5") |
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| Stromversorgung |
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| Energieverbrauch |
18.61 Watt (Schreiben)
9.44 Watt (Lesen)
5 Watt (Leerlauf) |
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| Umgebungsbedingungen |
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| Min Betriebstemperatur |
0 °C |
| Max. Betriebstemperatur |
70 °C |
| Schocktoleranz (in Betrieb) |
1000 g @ 0,5 ms |
| Schocktoleranz (nicht in Betrieb) |
1000 g @ 0,5 ms |
| Vibrationstoleranz (in Betrieb) |
2.17 g |
| Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) |
3.13 g |
